NECがゲート長5ナノのトランジスタ最小化成功

NECは、世界最小のトランジスタの開発に成功した。
最小トランジスタは8日からワシントンで開かれる国際電子素子会議(IEDM)で発表される。トランジスタの大きさを測る目安とされる電極(ゲート)の幅が5ナノ(ナノは10億分の1)メートルで、作動実験も成功した。5ナノは髪の毛の太さの2万分の1以下で、ウイルス(10~300ナノ)よりも小さい。電極幅が小さいとトランジスタを半導体チップに組み込む際、トランジスタ間の距離である回路線幅を短くでき、半導体自体も小さくできる。
今回の最小型の量産には製造技術の開発が必要で、実用化は20年前後と見られる。
(朝日新聞)
ん~。集積密度が上がっていき、トランジスタのゲート長が5ナノメートル(nm)を下回ると
トンネリング効果が発生し始め、トランジスタとしての効果がなくなってしまいまうという
のはどうなったのだろう?

“NECがゲート長5ナノのトランジスタ最小化成功” への1件の返信

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